快科技2月19日报道,根据最新消息,在全球存储器供应短缺问题持续加剧的背景下,韩国的两大半导体巨头正在加紧布局产能。
SK海力士公司决定将原计划于2027年5月竣工的龙仁一期晶圆厂,提前至明年年初(2月至3月)开始试运营;而三星电子也计划将平泽P4工厂的投产时间从原定的第一季度,调整至今年的第四季度。
据KB证券的数据显示,截至今年2月,三星与SK海力士对主要客户的存储器芯片需求满足率仅为约60%,短缺程度相较于去年第四季度进一步加剧。
市场普遍预测,这种供应紧张的状况将持续至2027年。花旗集团预测,今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%,而需求增速则高达20.1%和21.4%,供需缺口将进一步扩大。
在高带宽存储器领域,价格竞争也日益激烈。据悉,三星新一代HBM4的报价约为700美元,SK海力士也有望跟进这一价格。
这一价格比现有的HBM3E高出20%至30%,与去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4(约550美元)相比,涨幅也接近三成。市场普遍预期,随着存储器价格和数量的双重提升,三星与SK海力士今年第一季度的营业利润有望达到30万亿韩元。
与此同时,美国存储器巨头美光科技也在加快扩产步伐。该公司最近宣布,计划在新加坡投资240亿美元用于扩建晶圆制造厂,以应对全球存储器短缺,并加速提升产能供给能力。

