快科技2月19日报道，根据最新消息，在全球存储器供应短缺问题持续加剧的背景下，韩国的两大半导体巨头正在加紧布局产能。
SK海力士公司决定将原计划于2027年5月竣工的龙仁一期晶圆厂，提前至明年年初（2月至3月）开始试运营；而三星电子也计划将平泽P4工厂的投产时间从原定的第一季度，调整至今年的第四季度。
据KB证券的数据显示，截至今年2月，三星与SK海力士对主要客户的存储器芯片需求满足率仅为约60%，短缺程度相较于去年第四季度进一步加剧。
市场普遍预测，这种供应紧张的状况将持续至2027年。花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，供需缺口将进一步扩大。
在高带宽存储器领域，价格竞争也日益激烈。据悉，三星新一代HBM4的报价约为700美元，SK海力士也有望跟进这一价格。
这一价格比现有的HBM3E高出20%至30%，与去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4（约550美元）相比，涨幅也接近三成。市场普遍预期，随着存储器价格和数量的双重提升，三星与SK海力士今年第一季度的营业利润有望达到30万亿韩元。
与此同时，美国存储器巨头美光科技也在加快扩产步伐。该公司最近宣布，计划在新加坡投资240亿美元用于扩建晶圆制造厂，以应对全球存储器短缺，并加速提升产能供给能力。
